主要型號(hào)：

主要特點(diǎn)：

   A 采用先進(jìn)的電流型開關(guān)電源技術(shù)，減小輸出儲(chǔ)能元件，
同時(shí)提高了抑制打火及重啟速度。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動(dòng)識(shí)別偽打火現(xiàn)象，
充分滿足轟擊清洗過程的連續(xù)性。
   D 主要參數(shù)可大范圍調(diào)節(jié)。
   E 可選擇手動(dòng)控制/模擬量接口控制，可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠，生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng)，充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性，
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負(fù)載匹配能力，既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性，又提高了靶面清洗速度；
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)；
方便維護(hù)，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能，方便實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。

主要用途：

MSB高壓雙極清洗電源適用于工件鍍膜前的高壓轟擊清洗和鍍硅油保護(hù)膜。

在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的發(fā)展中展現(xiàn)出誘人的市場(chǎng)前景。這種的真空鍍膜技術(shù)已在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域得到應(yīng)用。真空鍍膜技術(shù)是真空應(yīng)用技術(shù)的一個(gè)重要分支，它已廣泛地應(yīng) 用于光學(xué)、電子學(xué)、能源開發(fā)、理化儀器、建筑機(jī)械、包裝、民用制品、表面科學(xué)以及科學(xué)研究等領(lǐng)域中。真空鍍膜所采用的方法主要有蒸發(fā)鍍．濺射鍍、離子鍍、束流沉積鍍以及分子束外延等。這種真空鍍膜電源優(yōu)勢(shì)會(huì)體現(xiàn)的比較明顯。

選用了領(lǐng)先的PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，具有杰出的動(dòng)態(tài)特性和抗干擾才能，動(dòng)態(tài)呼應(yīng)時(shí)刻小于10mS。規(guī)劃有電壓、電流雙閉環(huán)操控電路，可實(shí)時(shí)對(duì)輸出電壓電流的操控，能有用處理濺射過程中陰極靶面的不清潔導(dǎo)致弧光放電造成大電流沖擊導(dǎo)致電源的損壞疑問。選用數(shù)字化DSP操控技術(shù)，主動(dòng)操控電源的恒壓恒流狀況。在起弧和維弧時(shí)能主動(dòng)疾速操控電壓電流使起弧和維弧作業(yè)更安穩(wěn)。

真空室里的堆積條件跟著時(shí)刻發(fā)作改動(dòng)是常見的表象。在一輪運(yùn)轉(zhuǎn)過中，蒸發(fā)源的特性會(huì)跟著膜材的耗費(fèi)而改動(dòng)，尤其是規(guī)劃中觸及多層鍍膜時(shí)，假如技術(shù)進(jìn)程需繼續(xù)數(shù)個(gè)小時(shí)，真空室的熱梯度也會(huì)上升。一起，當(dāng)真空室內(nèi)壁發(fā)作堆積變臟時(shí)，不一樣次序的工效逐步發(fā)生區(qū)別。這些要素雖然是漸進(jìn)的并可以進(jìn)行抵償，但仍然大概將其視為體系公役的一部分。