主要型號：

主要特點(diǎn)：

   A 采用先進(jìn)的電流型開關(guān)電源技術(shù)，減小輸出儲能元件，
同時提高了抑制打火及重啟速度，應(yīng)用在鋁靶鍍膜優(yōu)勢更為明顯。
   B 具備恒流/恒功率模式可選。恒功率模式相對于傳統(tǒng)的恒流模式，
更能保證鍍膜工藝的重復(fù)性。
   C 具有理想的電壓陡降特性，自動識別偽打火現(xiàn)象，
充分滿足磁控濺射工藝過程的連續(xù)性。
   D 主要參數(shù)可大范圍調(diào)節(jié)
   E 可選擇手動控制/模擬量接口控制，可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠，生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng)，充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性，
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負(fù)載匹配能力，既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性，又提高了靶面清洗速度；
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)；
方便維護(hù)，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能，方便實(shí)現(xiàn)自動化控制。

MSB系列雙極脈沖磁控濺射電源（中頻電源）

主要用途：

雙極脈沖磁控濺射電源用于中頻孿生靶磁控濺金屬或非金屬材料，特別適合于反應(yīng)磁控濺射。能增加離化率，減少電荷積累引起的異常放電，預(yù)防靶表面中毒現(xiàn)象。

在真空鍍膜電源時，使用直流負(fù)偏壓電源，其中運(yùn)用直流電源，這個電源的電子方向一直統(tǒng)一，會導(dǎo)致單一品種電荷堆積過高與控制源中和。也就是說用來提供動力的正負(fù)極被中和了。然后磁控濺射將不再持續(xù)。所以選用脈沖電源。

在真空中制備膜層，包含鍍制晶態(tài)的金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等單質(zhì)或化合物膜。雖然化學(xué)汽相堆積也選用減壓、低壓或等離子體等真空手法，但一般真空鍍膜是指用物理的辦法堆積薄膜。真空鍍膜有三種方式，即蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜技能初現(xiàn)于20世紀(jì)30年代，四五十年代開端呈現(xiàn)工業(yè)使用，工業(yè)化大規(guī)模出產(chǎn)開端于20世紀(jì)80年代，在電子、宇航、包裝、裝潢、燙金印刷等工業(yè)中獲得廣泛的使用。真空鍍膜是指在真空環(huán)境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的方式堆積到資料外表（通常是非金屬資料），歸于物理氣相堆積工藝。由于鍍層常為金屬薄膜，故也稱真空金屬化。廣義的真空鍍膜還包含在金屬或非金屬資料外表真空蒸鍍聚合物等非金屬功用性薄膜。在所有被鍍資猜中，以塑料樶為常見，其次，為紙張鍍膜。相對于金屬、陶瓷、木材等資料，塑料具有來歷充足、性能易于調(diào)控、加工方便等優(yōu)勢，因此品種繁多的塑料或其他高分子資料作為工程裝修性結(jié)構(gòu)資料，大量使用于轎車、家電、日用包裝、工藝裝修等工業(yè)領(lǐng)域。但塑料資料大多存在外表硬度不高、外觀不行華麗、耐磨性低等缺點(diǎn)，如在塑料外表蒸鍍一層極薄的金屬薄膜，即可賦予塑料程亮的金屬外觀，合適的金屬源還可大大增加資料外表耐磨性能，大大拓寬了塑料的裝修性和使用范圍。

真空鍍膜的功用是多方面的，這也決議了其使用場合非常豐富。整體來說，真空鍍膜的主要功用包含賦予被鍍件外表高度金屬光澤和鏡面效果，在薄膜資料上使膜層具有超卓的隔絕性能，提供優(yōu)異的電磁屏蔽和導(dǎo)電效果。