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1.1真空鍍膜:在真空條件下在基材上制備薄膜層的方法。
1.2底物:膜層受體。
1.3測(cè)試基材:在涂層過(guò)程開(kāi)始、過(guò)程中或之后用于測(cè)量和/或測(cè)試的基材。
1.4涂層材料:用于制作涂層的原材料。
1.5蒸發(fā)材料:真空蒸發(fā)中用于蒸發(fā)的涂層材料。
1.6濺射材料:真空濺射中用于濺射的涂層材料。
1.7膜材:構(gòu)成膜層的材料。
1.8蒸發(fā)速率:在給定的時(shí)間間隔內(nèi),物質(zhì)的蒸發(fā)量除以該時(shí)間間隔
1.9濺射率:在給定時(shí)間間隔內(nèi)濺射出的材料量除以該時(shí)間間隔。
1.10沉積速率:在給定時(shí)間間隔內(nèi)沉積在襯底上的材料量,除以時(shí)間間隔和襯底表面積。
1.11涂層角:顆粒入射到基材上的方向與被涂層表面法線之間的夾角。
2過(guò)程
2.1真空蒸發(fā)鍍膜:使涂層材料蒸發(fā)的真空鍍膜工藝。
2.1.1同時(shí)蒸發(fā):利用多臺(tái)蒸發(fā)器將各種蒸發(fā)物質(zhì)同時(shí)蒸發(fā)到基材上的真空蒸發(fā)。
2.1.2蒸發(fā)場(chǎng)蒸發(fā):從蒸發(fā)場(chǎng)同時(shí)蒸發(fā)出來(lái)的材料沉積在基片上的真空蒸發(fā)過(guò)程(該過(guò)程應(yīng)用于大規(guī)模蒸發(fā),以達(dá)到理想的膜厚分布)。
2.1.3反應(yīng)真空蒸發(fā):膜材料通過(guò)與氣體反應(yīng)而達(dá)到理想化學(xué)成分的真空蒸發(fā)。
2.1.4蒸發(fā)器反應(yīng)真空蒸發(fā)蒸發(fā)器反應(yīng)真空蒸發(fā):與蒸發(fā)器內(nèi)各種蒸發(fā)物質(zhì)發(fā)生反應(yīng),得到理想化學(xué)成分膜層材料的真空蒸發(fā)。
2.1.5直接加熱蒸發(fā):蒸發(fā)物料蒸發(fā)所需的熱量是蒸發(fā)物料本身的蒸發(fā)(有或無(wú)坩堝)。
2.1.6感應(yīng)加熱蒸發(fā):通過(guò)感應(yīng)渦流加熱使物料蒸發(fā)。
2.1.7電子束蒸發(fā):通過(guò)電子轟擊加熱材料的蒸發(fā)。
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