主要型號(hào)：

主要特點(diǎn)：
   A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形，波形的蕞高值和蕞低值可獨(dú)立設(shè)置。
   B輸出電壓范圍：-40V~+40V。
   C波形頻率范圍：0.1-50Hz
   D三角波、矩形波占空比10%~90%
   E 可選擇手動(dòng)控制/模擬量接口控制，可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠，生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng)，充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性，
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能，
具有極佳的負(fù)載匹配能力，既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性，又提高了靶面清洗速度；
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)；
方便維護(hù)，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能，方便實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。

主要用途：

MS系列勵(lì)磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過(guò)驅(qū)動(dòng)多弧靶外圍磁場(chǎng)線(xiàn)圈，產(chǎn)生周期性可變磁磁場(chǎng)，使多弧輝光由原來(lái)的集中放電變?yōu)榫鶆蚍烹?，提高工件膜層質(zhì)量

現(xiàn)在工業(yè)區(qū)，在范圍上擴(kuò)展的是越來(lái)越廣，跟隨我們行業(yè)的發(fā)展，現(xiàn)在機(jī)械設(shè)備研發(fā)的是越來(lái)越多，當(dāng)然啦，研發(fā)那么多，在一些加工廠(chǎng)家肯定是要應(yīng)用到的啦，在范圍上，在數(shù)量上都不會(huì)少，現(xiàn)在我們來(lái)了解下真空鍍膜電源這項(xiàng)項(xiàng)目吧！

1、在光學(xué)儀器中：人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機(jī)、測(cè)距儀，以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等，它們都離不開(kāi)鍍膜技術(shù)，鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。

2、在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中：薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。

3、在傳感器方面：在傳感器中，多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來(lái)說(shuō)，極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外，其中，大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì)，需要盡量增大其面積，且能工業(yè)化、低價(jià)格制作，因此，采用薄膜的情況很多。

4、在集成電路制造中：晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線(xiàn)（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?jiàn)，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。