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主要型號(hào):
型號(hào) | 功率(W) | 工作電壓(V) | 蕞大峰值電流(A) | 外形尺寸 | 冷卻方式 |
MS-10A | 400W | -40~+40 | -10~+10 | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風(fēng)冷 |
MS-20A | 800W | -40~+40 | -20~+20 | ||
MS-30A | 1200W | -40~+40 | -30~+30 |
主要特點(diǎn):
A 可選擇三角波、矩形波、正弦波三種波形,波形的蕞高值和蕞低值可獨(dú)立設(shè)置。
B輸出電壓范圍:-40V~+40V。
C波形頻率范圍:0.1-50Hz
D三角波、矩形波占空比10%~90%
E 可選擇手動(dòng)控制/模擬量接口控制,可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù),使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠,生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng),充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性,
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能,
具有極佳的負(fù)載匹配能力,既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性,又提高了靶面清洗速度;
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié);
方便維護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能,方便實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。
主要用途:
MS系列勵(lì)磁多波形電源選擇多種電壓波形輸出。通過驅(qū)動(dòng)多弧靶外圍磁場(chǎng)線圈,產(chǎn)生周期性可變磁磁場(chǎng),使多弧輝光由原來的集中放電變?yōu)榫鶆蚍烹?,提高工件膜層質(zhì)量
現(xiàn)在工業(yè)區(qū),在范圍上擴(kuò)展的是越來越廣,跟隨我們行業(yè)的發(fā)展,現(xiàn)在機(jī)械設(shè)備研發(fā)的是越來越多,當(dāng)然啦,研發(fā)那么多,在一些加工廠家肯定是要應(yīng)用到的啦,在范圍上,在數(shù)量上都不會(huì)少,現(xiàn)在我們來了解下真空鍍膜電源這項(xiàng)項(xiàng)目吧!
1、在光學(xué)儀器中:人們熟悉的光學(xué)儀器有望遠(yuǎn)鏡、顯微鏡、照相機(jī)、測(cè)距儀,以及日常生活用品中的鏡子、眼鏡、放大鏡等,它們都離不開鍍膜技術(shù),鍍制的薄膜有反射膜、增透膜和吸收膜等幾種。
2、在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中:薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì),有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì):由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉(zhuǎn)極為迅速;與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息,必然要采用鍍膜技術(shù)。
3、在傳感器方面:在傳感器中,多采用那些電氣性質(zhì)相對(duì)于物理量、化學(xué)量及其變化來說,極為敏感的半導(dǎo)體材料。此外,其中,大多數(shù)利用的是半導(dǎo)體的表面、界面的性質(zhì),需要盡量增大其面積,且能工業(yè)化、低價(jià)格制作,因此,采用薄膜的情況很多。
4、在集成電路制造中:晶體管路中的保護(hù)層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶硅、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見,氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。
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