主要型號(hào)：

主要特點(diǎn)：
   A具有行動(dòng)穩(wěn)定電壓功能，具有理想的電壓陡降特性，有效抑制離子源源頭表面打火。
   B 直流疊加脈沖輸出，峰值可達(dá)2000V。
   C 頻率40kHz，占空比45%~90%。
   D 可選擇手動(dòng)控制/模擬量接口控制，可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)器件，
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠，生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng)，充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性，
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能，具
有極佳的負(fù)載匹配能力，既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性，又提高了靶面清洗速度；
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié)；
方便維護(hù)，可靠性高；
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能，方便實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。

主要用途：

ISP離子源電源適用于陽(yáng)極層離子源驅(qū)動(dòng)電源。

隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，電子設(shè)備與人們的工作、生活關(guān)系日益密切，而電子設(shè)備都離不開(kāi)可靠的電源。作為設(shè)備制造領(lǐng)域必不可少的電子元器件之一，大功率開(kāi)關(guān)電源廠家的開(kāi)關(guān)電源技術(shù)隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新而在不斷創(chuàng)新。目前，市場(chǎng)上存在的開(kāi)關(guān)電源種類繁多，開(kāi)關(guān)電源廠家更是不計(jì)其數(shù)，隨著設(shè)備制造商對(duì)電源開(kāi)關(guān)種類的多樣化需求，開(kāi)關(guān)電源制造商在不斷生產(chǎn)出更多種類的開(kāi)關(guān)電源?，F(xiàn)在計(jì)算機(jī)、通訊、電子設(shè)備以及家用電器設(shè)備等多種領(lǐng)域都在廣泛的使用開(kāi)關(guān)電源，這些領(lǐng)域設(shè)備更新迅速，產(chǎn)品淘汰率高，所需的開(kāi)關(guān)電源種類總在不斷更替，更加促進(jìn)了開(kāi)關(guān)電源市場(chǎng)的迅猛發(fā)展。

在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中：薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì)，有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)：由于薄膜很薄，可以忽略渦流損耗；磁化反轉(zhuǎn)極為迅速；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息，必然要采用鍍膜技術(shù)。

在集成電路制造中：晶體管路中的保護(hù)層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等，多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)?？梢?jiàn)，氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。

電源作為各種電子設(shè)備不可獲取的組成部分，其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)級(jí)能否安全可靠。如今的開(kāi)關(guān)電源由于本身低能量消耗和較高的電源效率而取代了早期效率低、耗能高的線性電源，被廣泛用于電子計(jì)算機(jī)、通訊、家電等各個(gè)行業(yè)，被譽(yù)為高效節(jié)能型電源。