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主要型號(hào):
型號(hào) | 功率(W) | 工作峰值電壓(V) | 最 大工作電(A) | 主機(jī)外形尺寸 | 冷卻方式 |
ISP2000V | 700 | 2kV | 0.35A | 482*175*550 (WHD)[4U] | 風(fēng)冷 |
主要特點(diǎn):
A具有行動(dòng)穩(wěn)定電壓功能,具有理想的電壓陡降特性,有效抑制離子源源頭表面打火。
B 直流疊加脈沖輸出,峰值可達(dá)2000V。
C 頻率40kHz,占空比45%~90%。
D 可選擇手動(dòng)控制/模擬量接口控制,可選配RS485通訊接口。
采用先進(jìn)的PWM脈寬調(diào)制技術(shù),使用進(jìn)口IGBT或MOSFET作為功率開關(guān)器件,
體積小、重量輕、功能全、性能穩(wěn)定可靠,生產(chǎn)工藝嚴(yán)格完善。
該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的DSP控制系統(tǒng),充分保證鍍膜工藝的重復(fù)性,
并且具有抑制靶材弧光放電及抗短路功能,具
有極佳的負(fù)載匹配能力,既保證了靶面清洗工藝的穩(wěn)定性,又提高了靶面清洗速度;
主要參數(shù)均可大范圍連續(xù)調(diào)節(jié);
方便維護(hù),可靠性高;
PLC接口和RS485接口擴(kuò)展功能,方便實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。
主要用途:
ISP離子源電源適用于陽極層離子源驅(qū)動(dòng)電源。
隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展,電子設(shè)備與人們的工作、生活關(guān)系日益密切,而電子設(shè)備都離不開可靠的電源。作為設(shè)備制造領(lǐng)域必不可少的電子元器件之一,大功率開關(guān)電源廠家的開關(guān)電源技術(shù)隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新而在不斷創(chuàng)新。目前,市場(chǎng)上存在的開關(guān)電源種類繁多,開關(guān)電源廠家更是不計(jì)其數(shù),隨著設(shè)備制造商對(duì)電源開關(guān)種類的多樣化需求,開關(guān)電源制造商在不斷生產(chǎn)出更多種類的開關(guān)電源?,F(xiàn)在計(jì)算機(jī)、通訊、電子設(shè)備以及家用電器設(shè)備等多種領(lǐng)域都在廣泛的使用開關(guān)電源,這些領(lǐng)域設(shè)備更新迅速,產(chǎn)品淘汰率高,所需的開關(guān)電源種類總在不斷更替,更加促進(jìn)了開關(guān)電源市場(chǎng)的迅猛發(fā)展。
在信息存儲(chǔ)領(lǐng)域中:薄膜材料作為信息記錄于存儲(chǔ)介質(zhì),有其得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì):由于薄膜很薄,可以忽略渦流損耗;磁化反轉(zhuǎn)極為迅速;與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀態(tài)容易保持等。為了更精密地記錄與存儲(chǔ)信息,必然要采用鍍膜技術(shù)。
在集成電路制造中:晶體管路中的保護(hù)層(SiO2、Si3N4)、電極管線(多晶硅、鋁、銅及其合金)等,多是采用CVD技術(shù)、PVCD技術(shù)、真空蒸發(fā)金屬技術(shù)、磁控濺射技術(shù)和射頻濺射技術(shù)。可見,氣相沉積是制備集成電路的核心技術(shù)之一。
電源作為各種電子設(shè)備不可獲取的組成部分,其性能優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)級(jí)能否安全可靠。如今的開關(guān)電源由于本身低能量消耗和較高的電源效率而取代了早期效率低、耗能高的線性電源,被廣泛用于電子計(jì)算機(jī)、通訊、家電等各個(gè)行業(yè),被譽(yù)為高效節(jié)能型電源。
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